更新时间：2020-11-29 00:29:09
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序言
再版前言
第1章 半导体器件
1.1 N型半导体和P型半导体
1.2 PN结二极管
1.3 双极型晶体管
1.4 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
1.5 CMOS器件面临的挑战
1.6 结型场效应晶体管
1.7 肖特基势垒栅场效应晶体管
1.8 高电子迁移率晶体管
1.9 无结场效应晶体管
1.10 量子阱场效应晶体管
1.11 小结
参考文献
第2章 集成电路制造工艺发展趋势
2.1 引言
2.2 横向微缩所推动的工艺发展趋势
2.3 纵向微缩所推动的工艺发展趋势
2.4 弥补几何微缩的等效扩充
2.5 展望
第3章 CMOS逻辑电路及存储器制造流程
3.1 逻辑技术及工艺流程
3.2 存储器技术和制造工艺
3.3 无结场效应晶体管器件结构与工艺
第4章 电介质薄膜沉积工艺
4.1 前言
4.2 氧化膜/氮化膜工艺
4.3 栅极电介质薄膜
4.4 半导体绝缘介质的填充
4.5 超低介电常数薄膜
第5章 应力工程
5.1 简介
5.2 源漏区嵌入技术
5.3 应力记忆技术
5.4 双极应力刻蚀阻挡层
5.5 应力效应提升技术
第6章 金属薄膜沉积工艺及金属化
6.1 金属栅
6.2 自对准硅化物
6.3 接触窗薄膜工艺
6.4 金属互连
6.5 小结
第7章 光刻技术
7.1 光刻技术简介
7.2 光刻的系统参数
7.3 光刻工艺流程
7.4 光刻工艺窗口以及图形完整性评价方法
7.5 相干和部分相干成像
7.6 光刻设备和材料
7.7 与分辨率相关工艺窗口增强方法
第8章 干法刻蚀
8.1 引言
8.2 干法刻蚀建模
8.3 先进的干法刻蚀反应器
8.4 干法刻蚀应用
8.5 先进的刻蚀工艺控制
第9章 集成电路制造中的污染和清洗技术
9.1 IC制造过程中的污染源
9.2 IC污染对器件的影响
9.3 晶片的湿法处理概述
9.4 晶片表面颗粒去除方法
9.5 制程沉积膜前/后清洗
9.6 制程光阻清洗
9.7 晶片湿法刻蚀技术
9.8 晶背/边缘清洗和膜层去除
9.9 65nm和45nm以下湿法处理难点以及HKMG湿法应用
9.10 湿法清洗机台及其冲洗和干燥技术
9.11 污染清洗中的测量与表征
第10章 超浅结技术
10.1 简介
10.2 离子注入
10.3 快速热处理工艺
第11章 化学机械平坦化
11.1 引言
11.2 浅槽隔离抛光
11.3 铜抛光
11.4 高k金属栅抛光的挑战
11.5 GST抛光（GST CMP）
11.6 小结
第12章 器件参数和工艺相关性
12.1 MOS电性参数
12.2 栅极氧化层制程对MOS电性参数的影响
12.3 栅极制程对MOS电性参数的影响
12.4 超浅结对MOS电性参数的影响
12.5 金属硅化物对MOS电性参数的影响
12.6 多重连导线
第13章 可制造性设计
