第3章 CMOS逻辑电路及存储器制造流程

CMOS逻辑电路的制造技术是超大规模集成电路（VLSI）半导体工业的基础。在3.1节将会描述现代CMOS逻辑制造流程，用以制造NMOS和PMOS晶体管。现今，典型的CMOS制造工艺会添加一些额外的流程模块来实现多器件阈值电压（Vt），例如不同栅氧厚度的IO晶体管、高压晶体管、用于DRAM的电容、用于闪存（flash memory）的浮栅和用于混合信号应用的电感等。在3.2节，将会简要地介绍不同的存储器技术（DRAM、e-DRAM、FeRAM、PCRAM、RRAM、MRAM）和它们的制造流程。

制造流程、晶体管性能、成品率和最终电路/产品性能之间有很强的关联性，因此，CMOS和存储器制造流程的知识不仅对加工工程师和器件工程师十分必要，对电路设计和产品工程师也同样重要。