2.5 展望

传统的CMOS器件随着特征尺寸逐步缩小，越来越显现出局限性。研究人员正在积极寻找新的替代器件产品，以便在更小的技术节点中超越体硅CMOS技术。ITRS中提出的非传统CMOS器件，有超薄体SOI、能带工程晶体管、垂直晶体管、双栅晶体管、FinFET等。而未来有望被广泛应用的新兴存储器器件，主要有磁性存储器（MRAM）、相变存储器（PRAM）、纳米存储器（NRAM）、分子存储器（molecular memory）等。新兴的逻辑器件则主要包括了谐振隧道二极管、单电子晶体管器件、快速单通量量子逻辑器件、量子单元自动控制器件、纳米管器件、分子器件等。

在未来各种集成电路新器件中，大量纳米技术将得到应用，除了在存储器和逻辑器件中作为晶体管的主要材料，某些形态的碳纳米管可在晶体管中取代硅来控制电子流，并且碳纳米管也可取代铜作为互连材料。因此，集成电路制造工艺技术也将迎来新的变革。