晶体生长的物理基础
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三、溶液补充法[12]-[13]

如上所述,对给定的工艺参量vω,只需保持坩埚中溶液的浓度不变,就能生长出浓度均匀的晶体。如果在晶体生长时,通过与提拉联动的装置,使具有同样浓度的材料以同样的速率熔化于坩埚中,见图2-20(b),这样可保持坩埚中溶液的浓度不变。于是在工艺参量vω不变的条件下,就能生长出浓度均匀的单晶体。

图2-20(c)所示的浮动坩埚法[12]-[13],是上述装置的变形,其原理相同。补充的溶液是在浮动坩埚的自重(包括重锤)作用下由毛细管进入浮动坩埚的。

这种方法的特点是,将区域熔化方法的原理与直拉法的装置结合起来,图2-20(b)中的熔体,以及图2-20(c)之浮动坩埚中的熔体就相当于区熔方法中的熔区。这个方法实际上是利用了图2-14(b)中曲线之水平部分,因而可以得到溶质均匀的晶体。