四、层熔法[14]

如图2-20（d），这个方法也是区熔方法的变形。在坩埚中的初始材料中不加溶质，在上端由感应加热产生一定深度的熔化层，由溶质添加器加入k0＜1的溶质。在晶体生长的同时，熔化层向下移动。为了保持熔化层深度不变，生长速度v1和熔化层移动速度v2必须满足下面的关系：

其中v1为提拉速率，v2为感应线圈移动速率，R1为晶体直径，R2为坩埚直径。

在一定工艺条件下，按一定的方式添加溶质，就能得到浓度均匀的晶体。

参考文献

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