σ=n·e（μ P+μ N）
式中 n——空穴密度或电子密度（两者相等）。
e——电子电量。
μP——空穴迁移率。
μN——电子迁移率。
本振半导体的空穴密度和电子密度相等。迁移率是电子或空穴在电场强度E=1（V/m）电场中的速度，其单位是
电子迁移率总要比空穴迁移率大些。如果是杂质半导体，由于电子、空穴密度不同，所以计算电导率时要分别计算。
