1.2.4 P型与N型半导体的电导率计算公式

σP=NA·e· μP

σn=ND·e· μN

式中 σP——P型半导体的电导率，单位（1/Ω·m）。

σN——N型半导体的电导率，单位（1/Ω·m）。

e——电子电量。

NA——受主浓度，单位（1//m3）。

ND——施主浓度，单位（1//m3）。

μP——空穴迁移率。在锗中为0.17（m2/v·s），在硅中为0.05（m2/v·s）。

μN——电子迁移率。在锗中为0.36（m2/v·s），在硅中为0.126（m2/v·s）。

提示

电导率是电阻率的倒数。受主浓度NA指的是受主杂质浓度，亦即硅中三价的镓、铟等的浓度。施主浓度ND指的是施主杂质浓度，亦即硅中五价的砷、锑等的浓度。

例如：在锗中，受主杂质 NA=1020（1/m3），其电导率和电阻率分别为

σP=NA·e·μP=1.6×10－19×1020×0.17=2.72（1/Ω·m）

ρp=1/σP=1/2.72=0.37（Ω·m）