1.5.1 基本信息剖析
1.SSD容量
SSD容量是指提供给终端用户使用的最终容量,以字节(B)为单位。这里要注意,标称的数据都以十进制为单位,程序员出身的人容易认为它是以二进制的。同样一组数据,二进制比十进制会多出7%的容量,例如:
十进制128GB:128×1000×1000×1000B=128000000000B
二进制128GB:128×1024×1024×1024B=137438953472B
以二进制为单位的容量在行业内称为裸容量,以十进制为单位的容量称为用户容量。
裸容量比用户容量多出7%是针对GB级而言的,对于TB级,这个数值会更大。读者可自行计算。
闪存本身是裸容量。那么,裸容量多出的7%的容量在SSD内部做什么用呢?SSD可以利用这多出来的7%的空间管理和存储内部数据,比如把这部分额外的空间用作FTL映射表存储空间、垃圾回收所需的预留交换空间、闪存坏块的替代空间等。这里的7%的空间可以转换为OP(Over Provisioning)概念,公式是:
2.介质信息
当前SSD的核心存储介质是闪存,闪存这种半导体介质有其自身的物理参数,例如PE cycles(编程擦除次数)、Program(写编程)时间、数据Erase(擦除)和Read(读)时间、温度对读写擦的影响、闪存页的大小、闪存块的大小……这些都是介质的信息,介质的好坏直接影响数据存储的性能和完整性。
闪存分为SLC、MLC、TLC(甚至QLC),这指的是一个存储单元存储的位数(见表1-6)。
❑ SLC(Single-Level Cell)即单个存储单元存储1bit的数据。SLC速度快,寿命长(5万~10万次擦写寿命),但价格昂贵(是MLC的3倍以上)。
表1-6 SLC、MLC和TLC参数比较
❑ MLC(Multi-Level Cell)即单个存储单元存储2bit的数据。MLC速度一般,寿命一般(约为3000~10000次擦写寿命),价格一般。
❑ TLC(Trinary-Level Cell)即单个存储单元存储3bit的数据,也有闪存厂家称之为8LC。它速度慢,寿命短(500~1500次擦写寿命),价格便宜。
闪存发展到现在,经历了2D平面到3D立体制程(Process)两个大阶段。发展目标只有一个:硅片单位面积(mm2)能设计生产出更多的位(bit),让每GB成本和价格更低。这既是介质厂商的目标,也是客户的诉求,还是半导体工业发展的趋势。
图1-16 2D与3D闪存结构示意图
来看一下2D到3D的单位面积位数的比较(见表1-7),48层三星的3D V-NAND每平方毫米能生产出2600Mb的数据,3倍于2D闪存,所以同样的晶元3D可以比2D多切割出2倍的数据量。简单计算一下,每GB的价格能降为原来的1/3。
表1-7 不同闪存密度对比
最后我们来看一下几家闪存厂商的生产发展节点示意图(见图1-17)。用一句话来概括最终竞争的目标:在制程允许的范围内,发展更密、更快、价格更低的闪存产品。
图1-17 闪存原厂路线图
3.外观尺寸
SSD是标准件,外观尺寸需要满足一定的规定要求(长宽高和接口连接器),这又通常称为Form Factor。那SSD会有哪些Form Factor呢?其中尺寸细分为3.5in、2.5in、1.8in,还包括M.2、PCIe Add-In、mSATA、U.2、EDSFF等Form Factor标准(见图1-18),每个Form Factor都有三围大小、重量和接口引脚等明确规范。
图1-18 SSD尺寸部分一览
Form Factor标准组织:
❑ https://www.snia.org/forums/sssi/knowledge/formfactors
❑ http://www.ssdformfactor.org/
4.其他
下面介绍温度及认证与兼容性信息这两个参数。
❑ 温度:SSD应在0~70℃温度范围内使用,超出这个温度范围,SSD可能出现产品异常和数据异常。SSD的非工作温度为-50~90℃,这是SSD储存和运输期间的温度,也就是在非开机工作状态下,产品运输和仓库存储时的参考温度。在-50~90℃之外的温度下,SSD可能会损坏。
❑ 认证与兼容性信息(见图1-19):SSD硬件和软件都应通过认证测试,以此反映产品的标准测试情况,同时让客户明确产品通过了相应的测试。认证和兼容性信息是对应标准组织的测试集,而标准组织属于第三方,具有独立、客观的特点,所以这个测试通过就意味着可以免去客户再做这部分测试了。
图1-19 SSD兼容性示例