1.4.2 源、漏结构的形成

制造工艺与1.4.1节相连接，用栅区作为自对准掩模，在源、漏扩展区进行轻掺源、漏（LDD）的N型或P型杂质的离子注入（图1-10中仅进行NLDD注入）。接着，在硅栅的侧壁，形成氧化膜（TEOS）侧墙。以这个侧墙作为源、漏离子注入的掩模，形成LDD与源、漏区。在源、漏扩展区的LDD结构中，电场强度没有源、漏区那样强，是一种抑制热载流子发生的结构。在源、漏离子注入后，淀积层间绝缘膜，同时进行退火处理激活注入层。这时LDD与源、漏区注入离子的扩散将决定最终的有效栅长。源、漏形成后，用CVD法淀积掺有磷或硼的氧化膜。之所以采用掺有磷或硼的氧化膜磷硅玻璃PSG或硼磷硅玻璃BPSG作为层间绝缘膜，是为了减小层间布线电容，抑制可动钠离子在栅区的移动，并利用它在高温下的延展性达到表面平坦。

图1-10 源、漏结形成和层间绝缘膜淀积的制程剖面结构（参阅附录B-[2，16]）

图1-10 源、漏结形成和层间绝缘膜淀积的制程剖面结构（参阅附录B-[2，16]）（续）