2.4.2　LFPAK封装的热特性

当安装到PCB时，MOSFET的热特性依赖于两个参数[42]。

1. 与安装基座连接的热阻Rth（j-mb）

数据表中，LFPAK封装和TO-220封装的Rth（j-mb）通常为0.5～2K/W，取决于硅芯片的尺寸，通常随硅芯片尺寸的减小而增大。

2. 将基座安装到环境中的热阻Rth（j-a）

TO-220器件使用热阻Rth（j-a）。LFPAK器件没有使用这个值。对于TO-220器件，Rth（j-a）表示MOSFET结和环境之间的热阻（未连接到散热器）。由于可以在没有散热器的情况下安装和使用TO-220器件，所以Rth（j-a）可用于计算独立式TO-220器件的结温和最大允许功耗。

对于LFPAK器件，MOSFET与漏极连接的电路依赖于MOSFET被焊接到的PCB，所以LFPAK MOSFET本身的热阻Rth（j-a）无意义，无法测量。

热阻可以近似表达为（忽略MOSFET的任何辐射和对流损耗）

Rth（j-a） = Rth（j-mb） + Rth（mb-a）　（2-13）

由于Rth（j-mb）通常约为1K/W，因此热特性由PCB Rth（mb-a）的热阻主导，差异很大，可以比Rth（j-mb）大40～100倍。

图2-53显示了单个LFPAK MOSFET安装在40mm×40mm FR-4 PCB上的Rth（j-a）[42]：热特性取决于铜焊盘尺寸以及PCB中铜层的数量和类型。如图2-54所示，在层1和层4之间使用散热通孔，可以优化LFPAK器件的热传导。

图2-53　单个LFPAK MOSFET安装在40mm×40mm FR-4 PCB上的Rth（j-a）

图2-54　使用散热通孔优化LFPAK器件的热传导