1.2.2 二极管的伏安特性曲线

二极管的性能可用其伏安特性来描述，图1-12a所示为硅二极管伏安特性，图1-12b所示为锗二极管伏安特性。图中横坐标为电压，纵坐标为电流，由此可见，二极管的伏安特性就是加在二极管两端的电压与流过二极管电流之间的关系。

图1-12 二极管的伏安特性

a）硅二极管伏安特性 b）锗二极管伏安特性

（1）正向特性

当二极管两端的外加正向电压较低时，流过二极管正向电流很小，几乎为零，称为死区。当正向电压超过某一数值时，如图1-12所示的A点，正向电流明显增大，A点所对应的电压称为死区电压（或称导通电压），用U_（on）表示，通常，硅管的死区电压U_（on）约为0.5V，锗管约为0.1V。当正向电压超过死区电压后，随着电压升高，正向电流迅速增大，即二极管处于导通状态。当二极管正向导通后，其正向压降基本不变，硅二极管约为0.7V，锗二极管约为0.3V。

（2）反向特性

如图1-12所示，在反向特性区中，当二极管外加反向电压时，只有很小的反向漏电流，称为反向饱和电流。此时，二极管处于反向截止状态。当反向电压加到一定值时，反向电流急剧增加，产生反向击穿，二极管不再具有单向导电性。普通二极管的反向击穿电压U_（BR）一般在几十伏以上。