1.3.2 实际中的结构选择

以上讨论揭示了FinFET必须保持无掺杂的原因。同时也解释了当鳍形长宽比小于2倍时，尤其在更大a_f值时，双栅FinFET仍然能提供与三栅FinFET相同I_on的原因。具有中等a_f时，由于三栅FinFET的I_on增加小于双栅器件的I_on增加，所以三栅器件在栅极版图面积效率方面的优势不明显。

体反型对于纳米级FinFET的特性和设计具有重要意义。首先，在双栅和三栅FinFET中，基于表面反型定义的W_eff并不能合理地反映电流（电容）值。事实上，在三栅FinFET中，I_on和I_off远小于表面W_eff的值。其次，对于中等大小的a_f值，顶层栅极并不是必需的。第三，由于体反型，相比于双栅FinFET，在三栅FinFET中，由W_eff定义的栅极版图优势实际上要小得多。第四，量子化效应将进一步增强体反型效应。

此外，与三栅FinFET上的薄栅介质不同，具有厚顶层鳍片介质使得器件在工艺和架构方面具有更大的灵活性。例如，可以通过使用厚的顶部介质作为掩膜来蚀刻鳍片和分离栅极，并提供一定的保护。同时，在较高a_f的栅电极刻蚀器件过程中，厚的顶部介质也可以提供鳍片-漏/源区域的保护。因此，双栅FinFET是一种更优的结构。