第954章 技术方向

“在集团实验室设备控制下，我们的弹道二维硒化铟晶体管打破了四个硅基芯片的极限。

第一点，硅基芯片的沟长极限为12纳米，而我们的晶体管可以缩小到10纳米，同时保持理想的亚阈值摆幅75毫伏量程。

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