1.1.2 全球第三代半导体产业的结构
第三代半导体产业链环节包括材料、器件、应用三个部分。与Si材料不同，SiC和GaN器件不能在单晶衬底上直接制作，必须在衬底上生长高质量外延材料，再在外延层上制造各类器件。
1.全球第三代半导体SiC的产业结构
SiC产业链主要包含材料（衬底、外延）、器件、模块等环节，各环节的重点企业如图1-1所示。从产业链格局来看，美国仅Wolfspeed一家公司的SiC衬底、外延片产量就占据全球的60%以上，日本和欧洲紧随其后。日本在SiC半导体设备和功率模块方面优势较大，比较典型的企业包括三菱电机、罗姆等。欧洲在SiC衬底、外延片等方面优势较大，典型的企业包括瑞典的Norstel、德国的英飞凌和瑞士的意法半导体。与国外企业相比，国内企业整体竞争力较弱，但在全产业链上都有所布局，且近年来进步十分迅速。在SiC衬底方面，山东天岳、天科合达可以供应3～6英寸[1]单晶衬底，产能亦在不断提升；在SiC外延片方面，东莞天域和瀚天天成均能够提供3～6英寸的SiC外延片；在SiC器件方面，以中电科55所、三安光电、长飞半导体和中车时代为代表的国内企业均已有较为深厚的积累。
2.全球第三代半导体GaN的产业结构
GaN产业链包括衬底、外延、器件、模块等环节，各个环节的重点企业如图1-2所示。住友电工和Wolfspeed是全球GaN射频器件领域的龙头企业，市场占有率均超过30%，其次为科沃和MACOM。苏州纳维是我国国内唯一一家，国际上少有的几家能批量生产2英寸（50mm）GaN的企业；东莞中镓建成国内首家专业氮化镓衬底生产线，可以制备出1100μm的自支撑GaN衬底；苏州晶湛、聚能晶源均可以生产8英寸（203mm）硅基GaN外延片；世纪金光，是涵盖SiC和GaN单晶、外延、器件、模块研发设计生产销售一体的公司；士兰微拥有6英寸硅基GaN功率器件生产线。
图1-1 SiC产业链重点企业
（资料来源：第三代半导体联合创新孵化中心）
