5　权利要求中撰写错误的认定——株式会社钟化诉国家知识产权局专利复审委员会专利权无效行政案

【案件基本信息】

1.裁判书字号

北京市高级人民法院(2014)高行终字第1811号行政判决书

2.案由：专利权无效行政纠纷

3.当事人

原告(被上诉人)：株式会社钟化

被告：国家知识产权局专利复审委员会

第三人(上诉人)：叶洋

【基本案情】

株式会社钟化系名称为“层积型光电变换装置”、专利号为200480001413.6的发明专利(以下简称本专利)的专利权人。本专利授权公告的权利要求书共有15项，其中权利要求1为：一种层积型光电变换装置，其特征在于，在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)，相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元(3)内的反向导电型层(33)和邻接该前方光电变换单元(3)配置的后方光电变换单元(5)内的所述一导电型层(51)中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层(4)，所述硅复合层(4)具有20nm～130nm的厚度和25原子%～60原子%的氧浓度，在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。

针对本专利，叶洋于2012年02月24日向国家知识产权局专利复审委员会(以下简称专利复审委员会)提出无效宣告请求，认为本专利权利要求1－15不符合《中华人民共和国专利法》(以下简称专利法)第二十六条第三款、第四款的规定，请求宣告本专利全部无效。

专利复审委员会经审理，作出第19358号无效宣告请求审查决定(以下简称第19358号决定)，宣告本专利权全部无效。

原告株式会社钟化诉称：被告专利复审委员会对权利要求的解读违背了权利要求的解释原则，脱离了本领域技术人员的认知水平，存在法律适用错误，请求人民法院依法撤销专利复审委员会作出的第19358号决定。

被告专利复审委员会辩称：第19358号决定认定事实清楚、适用法律正确、审查程序合法，原告的诉讼理由不能成立。

第三人叶洋述称：同意被告的意见，第19358号决定认定事实清楚、适用法律正确，请求人民法院依法予以维持。

【案件焦点】

本专利权利要求是否违反《专利法》第二十六条第四款的规定。

【法院裁判要旨】

北京市第一中级人民法院经审理认为：本案的审理应适用2000年修正的《中华人民共和国专利法》和2002年修正的《中华人民共和国专利法实施细则》。本案争议焦点是，本专利权利要求书是否以说明书为依据，是否违反《中华人民共和国专利法》第二十六条第四款的规定。

判断一项权利要求能否得到说明书的支持，首先需要确定权利要求所保护的技术方案。由于语言表达的局限性以及撰写和代理水平的客观限制，权利要求书在撰写过程中难免出现用词不够严谨或者表达不够准确等缺陷。对于存在明显撰写错误的权利要求，本领域技术人员进行更正性理解后，如果其要求保护的技术方案能够从说明书充分公开的内容得到或者概括得出，没有超出说明书公开的范围，则应当认定该权利要求得到了说明书的支持，符合《专利法》第二十六条第四款的规定。

根据本专利权利要求1的记载，其请求保护一种层积型光电变换装置，特征在于，在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)，相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元(3)内的反向导电型层(33)和邻接该前方光电变换单元(3)配置的后方光电变换单元(5)内的所述一导电型层(51)中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层(4)，所述硅复合层(4)具有20nm～130nm的厚度和25原子%～60原子%的氧浓度，在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。综上，被告作出的第19358号决定认定事实不清，适用法律错误，依法予以撤销。

北京市第一中级人民法院根据《中华人民共和国行政诉讼法》[7]第五十四条第(二)项第1目、第2目之规定，判决：

一、撤销专利复审委员会作出的第19358号决定；

二、专利复审委员会重新作出审查决定。

叶洋提出上诉。北京市高级人民法院经审理认为：首先，根据权利要求1中“在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)”的记载可知，“一导电型层(31、51)”系与“多个光电变换单元(3、5)”并列的单元结构，前者并不包含在后者内，而权利要求1中还记载“后方光电变换单元(5)内的所述一导电型层(51)”，这表明“一导电型层(51)”属于“后方光电变换单元(5)”，而不是并列的单元结构。由于权利要求1中记载的技术特征存在以上明显矛盾，本领域技术人员在阅读权利要求后能够立即发现关于光电变换单元的单元结构关系存在错误，必将进一步阅读本专利说明书及附图，并借助其中相关记载来对权利要求1本身作出解释。

其次，根据本专利说明书背景技术部分的记载，在层积型光电变换装置中，现有技术为在前后两个光电变换单元之间设置TCO中间反射层，但会产生制造成本升高的问题。在基于具有中间反射层的结构形成集成型光电变换模块时，需要设置第一分离槽、第二分离槽、连接槽，但会产生泄漏电流，导致光电变换模块的特性低下的问题，而为了解决该问题设置第三分离槽又会导致生产成本和时间的增加，同时也会使中间反射层和后方光电变换模块的界面有可能因暴露于大气而污染，也会带来有效的光电变换区域的面积损耗增加的问题。为解决该技术问题，本专利在两个光电变换单元之间设置硅复合层，取代现有技术中的中间反射层，该硅复合层可降低层积型光电变换装置的生产成本和时间，避免因设置第三分离槽造成的光电变换效率的降低(参见本专利说明书第8页第6段－第9页第1段)。因此，本专利的“发明点”在于在两个光电变换单元之间设置硅复合层，而至于该硅复合层两侧的光电变换单元，则为通常的PIN结构。这一点，通过本专利说明书背景技术部分“薄膜光电变换装置通常表面上含有在绝缘性衬底上顺序层积的第一电极、一个以上半导体薄膜光电变换单元、及第二电极。而且，一个薄膜光电变换单元含有由p型层和n型层形成层状结构的i型层”的记载，也得到验证。也即，PIN结构的光电变换单元系本领域的公知常识，本专利无意对现有的PIN结构光电变换单元作出改进。

再次，对照本专利说明书中附图10，“一导电型层(31、51)”包含在“光电变换单元(3、5)”内，“光电变换单元(3、5)”包含“一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)及反向导电型层(33、53)”，即该“光电变换单元(3、5)”为通常的PIN结构。

基于上述几点，尽管本专利的撰写有可能使得一般读者根据阅读习惯，误认为“一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)”是独立于“含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)”之外的层状结构，但是，对层状结构的理解主体是本领域的技术人员，而非不具有本领域普通知识的一般读者。本领域技术人员在阅读权利要求1中撰写的技术方案时，能够清楚准确地得出正确的解释，即将光电变换单元理解为包含一导电型层、实质本征半导体的光电变换层和反向导电型层，并认为权利要求1中“在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)”的记载系撰写错误，进而会将其更正性地理解为“在衬底(1)上从光入射侧顺序层积含有一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)及反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)”，这也与说明书中公开的内容一致。

此外，在PCT/JP2004/010115国际公开文本中，权利要求1的相关内容中文译文为“在衬底(1)上从光入射侧顺序层积含有一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)及反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)”，这也可印证本专利权利要求1系存在撰写错误。

对于本领域技术人员而言，其通过阅读本专利说明书和附图，完全有理由认为本专利权利要求1中“在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)”存在撰写错误，并会将其更正性地理解为“在衬底(1)上从光入射侧顺序层积含有一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)及反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)”。专利复审委员会仅依据本专利权利要求1存在文字错误的撰写内容就“将错就错”式地得出其无法根据说明书得到或者概括得出的结论是错误的，其关于本专利权利要求1不符合《中华人民共和国专利法》第二十六条第四款的规定的认定有误，其关于本专利其他权利要求均不符合《中华人民共和国专利法》第二十六条第四款的规定亦不正确，一并予以纠正。

综上，原审判决认定事实清楚，适用法律正确，程序合法，应予维持。叶洋的上诉理由缺乏事实和法律依据，不能成立，其上诉请求法院不予支持。

北京市高级人民法院依照《中华人民共和国行政诉讼法》[8]第六十一条第(一)项之规定，判决：

驳回上诉，维持原判。

【法官后语】

在认定“权利要求中明显撰写错误”的过程中，对于权利要求进行解释可以采取哪些方法是必需予以明确的问题。《专利法》第五十九条第一款规定仅仅规定“说明书及附图可以用于解释权利要求的内容”，但是缺乏具体操作细则。对此，《最高人民法院关于审理侵犯专利权纠纷案件应用法律若干问题的解释》(法释［2009］21号)第三条规定，人民法院对于权利要求，可以运用说明书及附图、权利要求书中的相关权利要求、专利审查档案进行解释。说明书对权利要求用语有特别界定的，从其特别界定。以上述方法仍不能明确权利要求含义的，可以结合工具书、教科书等公知文献以及本领域普通技术人员的通常理解进行解释。

对于一份权利要求书，其记载的技术方案是一个整体。不同权项的权利要求之间、同一权项权利要求内部使用的技术术语应该是一致的、各技术术语之间的逻辑关系也应该是对应、完整的。因此，权利要求书中的相关权利要求可以用来解释权利要求。本案中，关键在于权利要求1中“在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)”这句话的理解。对此，通过这句话可知，“一导电型层(31、51)”与“多个光电变换单元(3、5)”是并列的单元结构，前者并不包含在后者内。然而，权利要求1中还记载“后方光电变换单元(5)内的所述一导电型层(51)”，这表明“一导电型层(51)”属于“后方光电变换单元(5)”，而不是并列的单元结构。也就是说，本领域技术人员通过阅读权利要求1，可以发现其记载的技术特征存在明显矛盾之处，能够立即发现关于光电变换单元的单元结构关系存在错误。那么，在这种情况下，本领域技术人员必定不会径直得到“权利要求不能得到说明书”的结论，而是会进一步阅读本专利的说明书及附图，并借助其中相关记载来对权利要求1本身作出解释。

《专利法》第五十九条第一款规定明确规定“说明书及附图可以用于解释权利要求的内容”，该规则在司法实务中的适用也很普遍。本案的特殊之处在于，在对权利要求进行解释时引入了“发明点”的概念。通过本专利说明书的记载可以看出，本专利的“发明点”在于在两个光电变换单元之间设置硅复合层，而至于该硅复合层两侧的光电变换单元，则为通常的PIN结构。对于本领域技术人员而言，PIN结构的光电变换单元是本领域的公知常识，本专利的发明目的并非在于对现有的PIN结构光电变换单元作出改进。也就是说，如果将权利要求1中“在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)”这句话按照其字面意思进行理解，则与本专利的发明目的相悖。这也就进一步证明了权利要求1中“在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)”这句话存在明显撰写错误，它真实的意思应该是“在衬底(1)上从光入射侧顺序层积含有一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)及反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)”。而且，将权利要求1限定的光电变换单元解释为通常的PIN结构也与说明书中附图10记载的内容一致。另外，考虑到本专利为国际申请PCT/JP2004/010115进入中国国家阶段的申请。在PCT/JP2004/010115国际公开文本中，权利要求1的相关内容中文译文为“在衬底(1)上从光入射侧顺序层积含有一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)及反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)”，也进一步印证本专利权利要求1存在明显撰写错误。

编写人：北京知识产权法院　陈志兴