通过上述分析可以知道,在生长工艺完全正常的情况下,生长的晶体中溶质分布也是不均匀的。通过上面的讨论,我们掌握了溶质分凝的规律,现在我们试图利用这些规律来帮助我们获得溶质均匀分布的晶体。
必须指出,这里我们企图消除的晶体中的溶质不均匀性,是指恒速生长过程中产生的不均匀性,即正常凝固时的不均匀性,而不包括生长速率起伏时的不均匀性(这种不均匀性称生长层,我们将在第四章讨论)。