1.3 晶体三极管
一、填空
1.晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件。从结构上看，分为 和 两大类型。
2.晶体管工作时有 种载流子参与导电，因此又称为 型晶体管。
3.晶体管的三个管脚分别叫做 极、 极和 极。
4.三极管具有电流放大作用的内部条件是： 区很薄； 区的多数载流子的浓度较高； 结的面积较大。
5.三极管具有放大作用的外部条件是： 结正向偏置； 结反向偏置。
6.三极管具有电流放大作用的实质，它是利用 电流的变化控制 电流的变化。
7.三极管的三个管脚的电流关系是IE = ，直流电流放大系数的定义式β= ，交流电流放大系数的定义式
= 。
8.设晶体管的压降UCE不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则= 。若基极电流增大至25μA，集电极电流相应地增大至2.6mA，则β= 。
9.某三极管的发射极电流iE等于1mA，基极电流iB等于20μA，穿透电流ICEO=0，则其集电极电流iC等于 ，电流放大系数等于 。
10.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以 极的电位最高， 极电位最低，UBE等于 。
11.当PNP锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以 极的电位最高， 极电位最低，UBE等于 。
12.三极管输出特性曲线分为 区、 区和 区。
13.当晶体管工作在 区时，关系式IC= IB才成立，发射结 偏置，集电结 偏置。
14.当晶体管工作在 区时，IC≈0，发射结 偏置，集电结 偏置。
15.当晶体管工作在 区时，UCE≈0，发射结 偏置，集电结 偏置。
16.三极管在放大区的特征是当IB固定时，IC基本不变，体现了管子的 特性。
17.温度升高时，晶体管的电流放大倍数β将 ；穿透电流ICEO将 ；发射结电压UBE将 。
18.温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 移，输出特性曲线将 移，输出特性曲线的间隔将变 。
二、选择
1.三极管的主要特征是具有（ ）作用。
A.电压放大
B.单向导电
C.电流放大
D.电流与电压放大
2.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该晶体管的类型为（ ）。
A.硅PNP型
B.硅NPN型
C.锗PNP型
D.锗NPN型
3.在放大器中，晶体管在静态时进入饱和区的条件是（ ）。
A.IB>IBS
B.IB<IBS
C.UBQ>死区电压
D.UBEQ=导通压降
4.工作在放大状态的双极型晶体管是（ ）。
A.电流控制元件
B.电压控制元件
C.不可控元件
5.用直流电压表测得晶体管电极1、2、3的电位分别为V1=1V，V2=1.3V，V3=-5V，则三个电极为（ ）。
A.1为e；2为b；3为c
B.1为e；2为c；3为b
C.1为b；2为e；3为c
D.1为b；2为c；3为e
6.输入特性曲线反映三极管（ ）关系的特性曲线。
A.uCE与iB
B.uCE与iC
C.uBE与iC
D.uBE与iB
7.输出特性曲线反映三极管（ ）关系的特性曲线。
A.uCE与iB
B.uCE与iC
C.uBE与iC
D.uBE与iB
8.晶体管共发射极输出特性常用一组曲线来表示。其中，每一条曲线对应一个特定的（ ）。
A.iC
B.uCE
C.iB
D.iE
9.有三只三极管，除β和ICEO不同外，其余参数大致相同。用作放大器件时，应选用（ ）管为好。
A.β=50，ICEO =10μA
B.β=150， ICEO=200μA
C.β=10，ICEO=5μA
三、判断
1.三极管由两个PN结构成，二极管包含一个PN结，因此可以用两个二极管反向串接来构成三极管。 （ ）
2.三极管三个电极上的电流总能满足IE=IC+IB。 （ ）
3.三极管集电极和基极上的电流总能满足IC=βIB。 （ ）
4.对于三极管，只有测得UBE>UCE，它才工作在放大区。 （ ）
5.三极管集电极和基极上的电流总能满足IC=βIB的关系。 （ ）
四、分析
1.测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图1-10所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图 1-10
2.三极管的每个电极对地的电位如图1-11所示，试判断各三极管处于何种工作状态（NPN型为硅管，PNP型为锗管）。
图 1-11
3.查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写在表1-1中。
表 1-1
4.已知三极管的型号为3DG100A，试问：
（1）能否工作在UCE=30V，IC=25mA的状态？为什么？
（2）能否工作在UCE=30V，IC=3mA的状态？为什么？
（3）能否工作在UCE=10V，IC=15mA的状态？为什么？