1.2 内容安排和说明

目前，有两类关于化合物半导体器件的著作：一类是由理论研究人员撰写的器件物理方面的经典著作，注重器件理论模型，但往往弱化了化合物半导体材料制备和器件工艺的问题；另一类著作从新型器件的实验和器件工艺出发，所涉及的理论模型一般较为简单。从理论分析和工程实际的完整性考量，两者都不适合作为教材。

本书的作者通过总结自己的工作，结合电子工业发展的最新现状，系统、全面地介绍了化合物半导体器件最前沿的研究和发展，从理论模型和工艺实验两个方面阐述了多种器件的工作机理和发展现状。除了器件的工作原理，作者还对半导体材料的基础研究及其对器件的影响等方面做了较详细的阐述。

第1章为绪论，简要介绍了化合物半导体的历史和发展。

第2章介绍了半导体器件物理的基础内容、化合物半导体材料及其基本电学特性。系统的介绍了半导体材料与器件物理相关的一些基本概念，包括晶格结构、能带理论、有效质量近似，以及电子能态密度等。

第3章至第7章系统地讲述了几种重要的化合物半导体器件及其特性。从基本的异质结和肖特基二极管出发，讨论了双极型器件和场效应器件，最后讨论量子效应、热电子器件和光电子器件。

第8章结合我们研究团队的成果，以SiC和GaN微波功率器件和光电器件为主，特别介绍了近年来的研究热点——宽禁带半导体材料与器件。

本书可作为高等学校微电子学、集成电路设计及相关专业的研究生和本科高年级学生“化合物半导体材料和器件”课程的教材；也可作为从事化合物半导体材料或器件分析的科研和工程技术人员的参考。各章后配有思考题，可供读者选做。