主要参数符号表

A*　有效理查逊常数

a　晶格常数

B　磁感应强度

B　晶体管基极

C　电容

C　晶体管集电极

Cgd　MESFET漏栅之间的肖特基结势垒电容

Cgs　MESFET源栅之间的肖特基结势垒电容

D　（1）电位移；（2）双极扩散系数

D　场效应晶体管漏极

E　（1）电子能量；（2）电场强度

E　晶体管发射极

EA　受主能级

Ec　导带底能量

ΔEc　异质界面导带突变量

ED　施主能级

EF　费米能级

EFm　金属一侧费米能级

EFs　半导体一侧费米能级

Eg　禁带宽度

Ei　（1）本征费米能级；（2）禁带中部位置

Ev　价带顶能量

ΔEv　异质界面导带突变量

E0　真空电子静止能量

Fmin　最小噪声系数

fT　特征频率

fmax　最大振荡频率

G　（1）载流子净产生率；（2）光电导增益因子

G　场效应晶体管栅极

g　（1）基态简并度；（2）激光增益系数

g（E）　状态密度

gm　跨导

H　磁场强度

h　普朗克常数

　h/2π

I　（1）电流；（2）发光强度

IB　晶体管基极电流

IC　晶体管集电极电流

ID　漏极电流

IDsat　漏极饱和电流

IE　晶体管发射极电流

IF　正向电流

IL　光生电流

Ip　峰值电流

IR　反向电流

Ir　复合电流

Is　反向饱和电流

Iv　谷值电流

J　电流密度

JF　正向电流密度

Jn　电子电流密度

Jp　空穴电流密度

JR　反向电流密度

Jr　复合电流密度

Js　反向饱和电流密度

k　（1）波矢量；（2）玻耳兹曼常数

LD　德拜长度

Ln　电子扩散长度

Lp　空穴扩散长度

l　平均自由程

m0　电子惯性质量

m*　有效质量

　电子有效质量

　空穴有效质量

NA　受主浓度

Nc　导带有效态密度

ND　施主浓度

Nv　价带有效态密度

NSS　异质界面悬挂键数目

n　（1）电子浓度；（2）折射率；（3）理想因子

n0　平均电子浓度

Δn　非平衡电子浓度

nD　中性施主浓度

ni　本征载流子浓度

np　p型电子浓度

np0　p型平衡电子浓度

ns　表面载流子浓度

Po　光学波散射概率

Ps　晶格散射概率

p　（1）空穴浓度；（2）动量

p0　平衡空穴浓度

Δp　非平衡空穴浓度

pA　中性受主浓度

pn0　n型平衡空穴浓度

pp　p型空穴浓度

pp0　p型平衡空穴浓度

Q　（1）光生载流子产生率；（2）电荷面密度

QS　表面电荷面密度

q　电子电量

qVD　势垒高度

qφB　金半接触中金属一侧的势垒高度

R　（1）电阻；（2）反射系数；（3）符合率

Rds　MESFET跨接在漏和源之间的微分电阻

Ri　MESFET等效沟道电阻

s　（1）截面积；（2）表面复合速度

S　场效应晶体管栅极

T　（1）温度；（2）透射概率

t　时间

U　（1）非平衡载流子复合率；（2）单向化增益

V　（1）电压；（2）电势

VBR　击穿电压

VD　内建电势差

VDsat　场效应晶体管饱和漏电压

Vs　表面势

Vp　夹断电压

VT　阈值电压

vsat　饱和漂移速度

vth　电子热运动速度

W　功函数

WB　基区宽度

WE　发射区宽度

Wm　金属功函数

Ws　半导体功函数

xj　pn结结深

xd　耗尽区宽度

α　（1）吸收系数；（2）晶体管基区输运系数

β　（1）压缩系数；（2）晶体管放大系数

γ　（1）注入比；（2）晶体管发射结注入效率

δ　E c-EF，或EF-Ev

ε　介电常数

εs　半导体相对介电常数

ε0　真空介电常数

μ　迁移率

μ0　低场迁移率

μI　杂质散射所造成的迁移率

μL　晶格散射所造成的迁移率

μn　电子迁移率

μp　空穴迁移率

ρ　（1）电阻率；（2）电荷体密度

ρi　本征电阻率

ρn　n型电阻率

ρp　p型电阻率

σ　（1）电导率；（2）俘获截面

σi　本征电导率

σn　n型电导率

σp　p型电导率

τ　（1）平均自由时间；（2）寿命

τb　晶体管基区少子渡越时间

τc　晶体管集电结电容充电时间

τd　晶体管集电结耗尽层渡越时间

τe　晶体管发射结电容充电时间

τec　晶体管延迟时间

τn　电子寿命

τp　空穴寿命

η　效率

λ　（1）波长；（2）沟道调制系数

χ　电子亲和能

ω　角频率

ψ（x）　波函数

φ（x）　功函数