半导体制造技术导论

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译者序

译者简介

前言

第1章 导论

1.1 集成电路发展历史

1.2 集成电路发展回顾

1.3 小结

1.4 参考文献

1.5 习题

第2章 集成电路工艺介绍

2.1 集成电路工艺简介

2.2 集成电路的成品率

2.3 无尘室技术

2.4 集成电路工艺间基本结构

2.5 集成电路测试与封装

2.6 集成电路未来发展趋势

2.7 小结

2.8 参考文献

2.9 习题

第3章 半导体基础

3.1 半导体基本概念

3.2 半导体基本元器件

3.3 集成电路芯片

3.4 集成电路基本工艺

3.5 互补型金属氧化物晶体管

3.6 2000年后半导体工艺发展趋势

3.7 小结

3.8 参考文献

3.9 习题

第4章 晶圆制造

4.1 简介

4.2 为什么使用硅材料

4.3 晶体结构与缺陷

4.4 晶圆生产技术

4.5 外延硅生长技术

4.6 衬底工程

4.7 小结

4.8 参考文献

4.9 习题

第5章 加热工艺

5.1 简介

5.2 加热工艺的硬件设备

5.3 氧化工艺

5.4 扩散工艺

5.5 退火过程

5.6 高温化学气相沉积

5.7 快速加热工艺（RTP）系统

5.8 加热工艺发展趋势

5.9 小结

5.10 参考文献

5.11 习题

第6章 光刻工艺

6.1 简介

6.2 光刻胶

6.3 光刻工艺

6.4 光刻技术的发展趋势

6.5 安全性

6.6 小结

6.7 参考文献

6.8 习题

第7章 等离子体工艺

7.1 简介

7.2 等离子体基本概念

7.3 等离子体中的碰撞

7.4 等离子体参数

7.5 离子轰击

7.6 直流偏压

7.7 等离子体工艺优点

7.8 等离子体增强化学气相沉积及等离子体刻蚀反应器

7.9 遥控等离子体工艺

7.10 高密度等离子体工艺

7.11 小结

7.12 参考文献

7.13 习题

第8章 离子注入工艺

8.1 简介

8.2 离子注入技术简介

8.3 离子注入技术硬件设备

8.4 离子注入工艺过程

8.5 安全性

8.6 离子注入技术发展趋势

8.7 小结

8.8 参考文献

8.9 习题

第9章 刻蚀工艺

9.1 刻蚀工艺简介

9.2 刻蚀工艺基础

9.3 湿法刻蚀工艺

9.4 等离子体（干法）刻蚀工艺

9.5 等离子体刻蚀工艺

9.6 刻蚀工艺发展趋势

9.7 刻蚀工艺未来发展趋势

9.8 小结

9.9 参考文献

9.10 习题

第10章 化学气相沉积与电介质薄膜

10.1 简介